TSMC a produit en masse le procédé 7 nm il y a deux ans et cette année, il produira en série le procédé 5 nm. Huawei et Apple ont déjà précommandé la majeure partie de la capacité de production de 5 nm. Maintenant, le processus 3 nm est également prévu. Selon le compagnie, l’évaluation des risques aura lieu cette année. Quant à la production de masse, elle est prévue pour le second semestre 2021.
En outre, TSMC a également révélé les indicateurs techniques du processus 3 nm. Par rapport au procédé 5 nm de cette année, la densité des transistors du procédé 3 nm est augmentée de 15%.
De plus, les performances ont augmenté de 10 à 15%, tandis que l’efficacité énergétique a augmenté de 20 à 25%.
Dans les rapports précédents, il y avait des rumeurs selon lesquelles TSMC abandonnerait le processus de transistor FinFET au nœud de 3 nm et se tournerait vers les transistors à grille surround GAA. Cependant, des rapports récents montrent que TSMC a développé avec succès le processus 2 nm en utilisant la technologie de transistor GAA. Cela signifie que le nœud 3 nm de TSMC utilisera également le processus FinFET traditionnel.
Selon les médias, TSMC lancera les puces Apple A16 pour iPhone et iPad comme prévu. La puce utilisera le processus 3 nm de TSMC et sera répertoriée en 2022.
La première puce 5 nm de TSMC pour Qualcomm sera le SoC Snapdragon 875. Ce processeur est déjà en production de masse.
Le SoC aurait une percée dans les cœurs avec un combo 1 + 3 + 4 où le monocœur sera le Super-core Cortex X1 d’ARM, donnant un coup de pouce de 30% par rapport à l’A77.
Le rival de TSMC, Samsung, d’autre part, a annoncé qu’il utiliserait également le GAA-FET et sauterait le 4 nm et
développerait le processus de 3 nm dans le but de suivre TSMC. Cela étant dit, l’avancement de 2 nm de TSMC
n’est certainement pas une bonne nouvelle pour Samsung qui a déjà du mal à atteindre un processus de 3 nm.
